2025年9月12日，SK海力士宣布，已成功完成面向AI的超高性能存储器新产品HBM4的开发，并在全球首次构建了量产体系。
SK海力士表示：“公司成功开发将引领人工智能新时代的HBM4，并基于此技术成果，在全球首次构建了HBM4的量产体系。此举再次向全球市场彰显了公司在面向AI的存储器技术领域的领导地位。”
SK海力士HBM开发担当赵珠焕副社长表示：“HBM4的开发完成将成为业界新的里程碑。公司将及时为客户提供在性能、能效和可靠性方面都满足需求的产品，以此巩固在面向AI的存储器市场的竞争优势，并缩短产品上市时间（Time to Market）。”
随着AI需求和数据处理量剧增，为实现更快的系统速度，对高带宽存储器的需求也在激增。此外，数据中心巨大的耗电使得其运营负担日益加重，存储器的能效已成为客户所要求的关键因素。借此，SK海力士有望提升带宽和能效的HBM4将成为满足要求的最佳解决方案。
这次全新构建量产体系的HBM4采用了较前一代产品翻倍的2048条数据传输通道（I/O），将带宽扩大一倍，同时能效也提升40%以上。凭借这一突破，该产品实现了全球最高水平的数据处理速度和能效。公司预测，将该产品引入客户系统后，AI服务性能最高可提升69%，这一创新不仅能从根本上解决数据瓶颈问题，还可显著降低数据中心电力成本。
与此同时，此次HBM4实现了高达10Gbps（每秒10千兆比特）以上的运行速度，这大幅超越JEDEC标准规定的8Gbps（每秒8千兆比特）。
公司在HBM4的开发过程中采用了产品稳定性方面获得市场认可的自主先进批量回流模制底部填充（MR-MUF，Mass Reflow Molded Underfill）技术和第五代10纳米级（1b）DRAM工艺，最大程度地降低其量产过程中的风险。
MR-MUF 是指在堆叠半导体芯片后，为了保护芯片间的电路，在其中填充液体保护材料，使其固化。有评价称，与每堆一个芯片就铺设薄膜型材料的方式相比，该技术提高了效率和散热效果。特别是SK海力士的先进MR-MUF技术，较现有技术减少了芯片堆叠时所施加的压力，提高了芯片的翘曲控制力(Warpage Control)，这是确保HBM稳定量产的关键。
SK海力士AI Infra担当金柱善社长（CMO，Chief Marketing Officer）表示：“此次正式宣布全球率先构建量产体系的HBM4，不仅是突破AI基础设施极限的一个标志性转折点，更是可解决AI时代技术难题的核心产品。”又表示：“公司将及时供应AI时代所需的最高品质和多样化性能的存储器，致力成为‘全方位面向AI的存储器供应商（Full Stack AI Memory Provider）’。”